文档详情 ID: cmklp32eg0nc89888kgby04cb 后台管理 懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程(1) 网盘资源 | 影盘社 file:每天学学吧 (4).jpg file:[域 资源汇总].png file:0001-3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4 file:0001-2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4 file:0001-3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4 file:0001-2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4 file:0001-3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4 file:0001-2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4 file:0001-3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理(一).mp4 file:0001-2-3_TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 file:0001-1.3-半导体器件物理简述.mp4 file:0010-4-10-基于ICWBEV的工艺仿真(二)与光电二极管仿真.mp4 file:0001-3-4_物理模型(二)与温度仿真.mp4 file:0001-1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4 file:0008-4-8-工艺仿真基础(三)(下).mp4 file:0001-3-16_sdevice求解流程,Math设置与收敛性调整思路.mp4 file:0001-3-10-交流小信号分析.mp4 file:0009-4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4 file:0012-4-12_离子注入仿真(上).mp4 file:0006-4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp4 file:0001-3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4 file:0001-工艺仿真提前梳理(临时).mp4 file:0001-3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4 folder:懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程(1) 分享时间 2024-12-20 入库时间 2026-01-19 资源类型 夸克网盘 分享用户 夸父*199 扫码获取资源 复制链接 进入网盘 分享资源