文档详情 ID: cmgvad4590032h688gw7zzd9y 后台管理 073642_懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程 网盘资源 | 影盘社 file:0012-4-12_离子注入仿真(上).mp4 file:0001-3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4 file:0001-3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4 file:0001-3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4 file:0001-1.4-一维PN结的数值求解.mp4 file:0001-3-3-器件仿真中的物理模型(一).mp4 file:0010-4-10-基于ICWBEV的工艺仿真(二)与光电二极管仿真.mp4 file:0001-工艺仿真提前梳理(临时).mp4 file:0009-4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4 file:0004-4-4-版图绘制(下)-派生图层与宏命令编写.mp4 file:0001-3-7-混合模式(二)-修改SPICE模型参数_SVISUAL动画自动生成.mp4 file:0001-3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4 file:0001-3-6_SPICE模型,混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4 file:0001-2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4 file:0011-4-11-sprocess结构生成(刻蚀,淀积)与MGOALS.mp4 file:0001-2-3_TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 file:0001-3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4 file:0001-1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4 file:0001-3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4 file:0001-2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4 file:0006-4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp4 file:0001-3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4 folder:073642_懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程 分享时间 2025-10-16 入库时间 2025-10-17 资源类型 夸克网盘 分享用户 23*跑的蜜饯 扫码获取资源 复制链接 进入网盘 分享资源